TSMC

taiwanischer Halbleiterhersteller und Auftragsfertiger

Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited (TSMC; chinesisch 台灣積體電路製造股份有限公司, Pinyin Táiwān Jītǐ Diànlù Zhìzào Gǔfèn Yǒuxiàn Gōngsī, kurz 台積電, Táijī Diàn) ist nach Intel und Samsung der weltweit drittgrößte Halbleiterhersteller und der weltweit größte unabhängige Auftragsfertiger für Halbleiterprodukte (Foundry). Die Gründung erfolgte 1987 mit staatlicher Unterstützung.[2] Der Hauptsitz und die wichtigsten Unternehmensteile befinden sich in Hsinchu, Taiwan.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

Rechtsform Aktiengesellschaft
ISIN US8740391003
Gründung 21. Februar 1987
Sitz Hsinchu,
Taiwan Taiwan
Leitung C.C. Wei (CEO)
Mitarbeiterzahl 51.297 (2019)[1]
Umsatz 1070 Mrd. TWD (33,2 Mrd. Euro) (2019)[1]
Branche Halbleiterindustrie
Website tsmc.com

Das Geschäftsmodell ist darauf ausgerichtet, für Fabless-Unternehmen wie z. B. AMD, Apple,[3] Qualcomm, NVIDIA, Conexant, Marvell, VIA oder Broadcom die Produktion von Halbleiterchips zu übernehmen. Das Unternehmen ist seit den 1990er Jahren sehr schnell gewachsen – In den letzten 20 Jahren lag das durchschnittliche Wachstum pro Jahr bei 21,5 % – und seit längerem Marktführer in seinem Bereich. 2020 erwirtschaftete TSMC einen Jahresumsatz von 45,5 Milliarden US-Dollar und einen Gewinn von 17,6 Milliarden US-Dollar.[4]

DatenBearbeiten

Die Aktien von TSMC mit der ISIN TW0002330008 werden an der Taiwan Stock Exchange gehandelt. An der New York Stock Exchange können ADRs mit der ISIN US8740391003 erworben und veräußert werden. Der Vorsitzende des Unternehmens war über viele Jahrzehnte Morris Chang, der auch bis 2005 CEO war. Von 2005 bis 2009 war Rick Tsai CEO, der dann wiederum von Morris Chang abgelöst wurde. Chang blieb bis zum Sommer 2018 aktiv[5], seither dient Mark Liu als Vorsitzender und C. C. Wei als CEO und Vizevorsitzender.[6]

Am 10. September 2020 betrug die Marktkapitalisierung 385,28 Mrd. US-Dollar[7].

Finanzdaten (in Milliarden TWD)[8]
Zeitraum Umsatz Gewinn Wachstum Rendite
KJ 1993 12 4 unbek. 34 %
KJ 1994 19 8 57 % 44 %
KJ 1995 29 15 49 % 52 %
KJ 1996 39 19 37 % 49 %
KJ 1997 44 18 11 % 41 %
KJ 1998 50 15 15 % 30 %
KJ 1999 73 25 45 % 34 %
KJ 2000 166 65 127 % 39 %
KJ 2001 126 14 −24 % 12 %
KJ 2002 162 22 29 % 13 %
KJ 2003 203 47 25 % 23 %
KJ 2004 257 92 27 % 36 %
KJ 2005 267 94 4 % 35 %
KJ 2006 317 127 19 % 40 %
KJ 2007 323 109 2 % 34 %
KJ 2008 333 100 3 % 30 %
KJ 2009 296 89 −11 % 30 %
KJ 2010 420 162 42 % 39 %
KJ 2011 427 134 2 % 31 %
KJ 2012 506 166 19 % 33 %
KJ 2013 597 188 18 % 31 %
KJ 2014 763 264 28 % 35 %
KJ 2015 843 307 11 % 36 %
KJ 2016 947 323 12 % 35 %
KJ 2017 977 314 3 % 35 %
KJ 2018 1031 361 6 % 34 %
KJ 2019 1070 334 4 % 32 %
KJ 2020 1339 508 25 % 38 %
KJ 2021 1587 596 19 % 38 %

WerkeBearbeiten

 
Fab-5-Gebäude
Übersicht aktueller Fertigungsstätten[9]
Bezeich­nung Standort Kategorie Kapazität pro Monat
bei Vollausbau
Anmerkungen
Fab 12A Hsinchu
(24° 46′ 25″ N, 121° 0′ 47″ O)
300-mm-Wafer-Werk Phase 1, 2, 4–7 in Betrieb, Phase 8 in Bau und Phase 9 geplant
zugleich Firmensitz
Fab 12B Hsinchu
(24° 46′ 37″ N, 120° 59′ 35″ O)
300-mm-Wafer-Werk TSMC R&D Center, Phase 3 in Betrieb
Fab 14 Shanhua (Tainan)
(23° 6′ 46″ N, 120° 16′ 27″ O)
300-mm-Wafer-Werk Phase 1–7 in Betrieb, Phase 8 in Bau
Fab 15 Taichung
(24° 12′ 41″ N, 120° 37′ 2″ O)
300-mm-Wafer-Werk Phase 1–7 in Betrieb
Fab 16 Nanjing, China
(31° 58′ 33″ N, 118° 31′ 59″ O)
300-mm-Wafer-Werk TSMC Nanjing Company Limited
Fab 18 Shanhua (Tainan)
(23° 7′ 5″ N, 120° 15′ 45″ O)
300-mm-Wafer-Werk Phase 1–3 in Betrieb, Phase 4–8 in Bau
Fab 20 Hsinchu
(24° 45′ 51″ N, 121° 0′ 10″ O)
300-mm-Wafer-Werk geplant in 4 Phasen
Fab 21 Phoenix (Arizona)
(33° 46′ 30″ N, 112° 9′ 30″ W)
300-mm-Wafer-Werk Phase 1 in Bau, Eröffnung geplant für Ende 2024; Gebäude für Phase 2 in Bau, Zeitpläne für Ausrüstung und Inbetriebnahme unbekannt; Baurecht für 6 Phasen erteilt
Fab 22 Kaohsiung
(22° 42′ 35″ N, 120° 18′ 44″ O)
300-mm-Wafer-Werk vorerst 2 Phasen geplant; Phase 1 in Bau, Bau Phase 2 auf unbestimmte Zeit verschoben
JASM
(Fab 23)
Kumamoto (Japan)
(32° 53′ 8″ N, 130° 50′ 33″ O)
300-mm-Wafer-Werk Japan Advanced Semiconductor Manufacturing, Inc.

Gemeinschaftsunternehmen von TSMC (70 %), SSSC (20 %) und Denso (10 %)
In Bau; Eröffnung geplant für Ende 2024

Fab 3 Hsinchu
(24° 46′ 31″ N, 120° 59′ 28″ O)
200-mm-Wafer-Werk
Fab 5 Hsinchu
(24° 46′ 25″ N, 120° 59′ 55″ O)
200-mm-Wafer-Werk
Fab 6 Shanhua (Tainan)
(23° 6′ 36″ N, 120° 16′ 25″ O)
200-mm-Wafer-Werk Phase 1 & 2 in Betrieb
Fab 8 Hsinchu
(24° 45′ 44″ N, 121° 1′ 11″ O)
200-mm-Wafer-Werk
Fab 10 Songjiang, China
(31° 2′ 8″ N, 121° 9′ 33″ O)
200-mm-Wafer-Werk TSMC China Company Limited
Fab 11 Camas, Washington, USA
(45° 37′ 8″ N, 122° 27′ 20″ W)
200-mm-Wafer-Werk WaferTech L.L.C.; 100 % zu TSMC gehörend
SSMC Singapur
(1° 22′ 58″ N, 103° 56′ 6″ O)
200-mm-Wafer-Werk Systems on Silicon Manufacturing Cooperation, 1998 als Joint-Venture von TSMC, Philips Semiconductors (jetzt NXP Semiconductors) und mit EDB Investments aus Singapur gegründet. TSMC erhöhte im November 2006 seine Anteile an SSMC auf 38,8 %, NXP auf 61,2 %.[10]
Fab 2 Hsinchu
(24° 46′ 25″ N, 120° 59′ 55″ O)
150-mm-Wafer-Werk
Advanced Backend Fab 1 Hsinchu
(24° 46′ 40″ N, 120° 59′ 29″ O)
Backend k. A.
Advanced Backend Fab 2 Shanhua (Tainan)
(23° 6′ 46″ N, 120° 16′ 27″ O)
Backend k. A. AP2B in Betrieb; AP2C in Bau, Eröffnung geplant für H2 2022
Advanced Backend Fab 3 Longtan (Taoyuan)
(24° 53′ 0,7″ N, 121° 11′ 11,3″ O)
Backend k. A.
Advanced Backend Fab 5 Taichung
(24° 12′ 53″ N, 120° 37′ 5″ O)
Backend k. A.
Advanced Backend Fab 6 Zhunan
(24° 42′ 25″ N, 120° 54′ 26″ O)
Backend k. A. geplant in 3 Phasen, Phase AP6A in Bau

TechnikBearbeiten

Stand der Technik war seit 2008 die Herstellung von Chips mit einer Strukturgröße von 40 Nanometern (im 40-nm-Prozess) durch die 193-nm-Immersionslithografie, gestrecktem Silizium und die Low-k-Dielektrikum-Halbleitertechnologie. Die ersten Produkte im 40-nm-Prozess waren unter anderem Alteras Hardcopy-ASICs, die RV740-GPU von AMD und die 40-nm-Stratix-IV-FPGA-Bausteinfamilie.

Im 3. Quartal 2010 hat man mit der Risikofertigung im 28-nm-Prozess begonnen, die Massenfertigung sollte im 4. Quartal 2010 beginnen.[11]

2014 wurde von TSMC der Prozess 20SOC in die Massenfertigung gebracht. Mit diesem Prozess konnte TSMC erstmals Apple als Kunden für sich gewinnen, was sich schließlich zu einer engen Verzahnung von TSMCs Nodeentwicklung mit Apples Produktzyklus entwickelte.

Seit 2015 bieten TSMC auch Chips im 16-nm-FinFET-Verfahren an.[12] Die ursprünglich erste Prozessgeneration 16FF wurde allerdings zugunsten von 16FF+ fallengelassen.

Im März 2017 startete man mit der 10-nm-FinFET-Fertigung für Apple.[13]

Seit April 2018 läuft die 7-nm-FinFET-Produktion (N7), der Nachfolger (N7P) erschien ein Jahr später. Ebenfalls 2019 wurde die EUV-Lithografie in der Herstellung der 7-nm-FinFET-Variante N7+ eingeführt.[14] Der N6 genannte Prozess gehört ebenfalls der 7-nm-Generation an.

N6 und alle neueren Prozesse benutzen die EUV-Lithografie in immer weiter zunehmenden Maße.

Im April 2020 lief die 5-nm-FinFET-Produktion (N5) in der neuen Fab 18 in Shanhua an.[15] Deren Ausbau der ersten drei Phasen wurde Ende 2020 vollendet.[16] Mitte 2021 startete der Bau einer weiteren Phase (P7). Die Produktion des Nachfolgeprozesses N5P startete im Mai 2021. Auch der für 2022 geplante Prozess N4 gehört der 5-nm-Generation an.

Im November 2020 genehmigte der Verwaltungsrat den Neubau der Fab 21 in Arizona, USA; das anfängliche Investitionsvolumen soll 3,5 Mrd. US-Dollar betragen, die Gesamtsumme 12 Mrd. US-Dollar. Die 5-nm-FinFET-Produktion soll dort 2024 starten.[17] Am 1. Juni 2021 gab TSMC den Beginn der Bauarbeiten bekannt.[18]

Der Produktionsstart des 3-nm-FinFET-Prozesses, in erster Version N3 genannt, erfolgte im 4. Quartal 2022 und die Fab 18 wurde dafür um drei weitere Phasen erweitert (P4-P6).[19] Mitte 2021 wurde der Bau einer weiteren Phase angekündigt (P8).[20] Im November 2022 wurde durch Morris Chang bestätigt, dass TSMC den Prozess auch für Fab 21 Phase 2 eingeplant habe.[21]

Mit einem 2-nm-Prozess plant TSMC von FinFET auf Gate-all-around-FET (GaaFET) zu wechseln. Für die Realisierung soll in Hsinchu südwestlich des Standorts der Fab 12A ein Entwicklungszentrum sowie für die Produktion die neue Fab 20 in 4 Phasen entstehen.[22]

NachhaltigkeitBearbeiten

Der Halbleiterhersteller gilt in der Branche schon lange als gutes Beispiel für Nachhaltigkeit. Er produziert energiesparende Chips und legt Wert auf Ressourcenschonung. Die TSMC-Aktien wurden daher in viele nachhaltige Emerging-Market-Fonds aufgenommen.[23]

Politische RelevanzBearbeiten

TSMC wird aufgrund der Marktposition und des Technologievorsprungs erhebliche geostrategische Relevanz zugesprochen.[24][25] Diese muss jedoch in Teilen relativiert werden, da der Erfolg auch durch nachfolgende Akteure der Wertschöpfungskette bedingt ist.[26]

WeblinksBearbeiten

Commons: TSMC – Sammlung von Bildern

EinzelnachweiseBearbeiten

  1. a b TSMC: Annual Report 2019. Abgerufen am 12. September 2020 (englisch).
  2. Patrick Welter, Taiwans digitaler Schutzschild?, In: Frankfurter Allgemeine Zeitung vom 2021-08-17
  3. Felix Lee: Rolle von Taiwans Chipindustrie: Systemrelevant für die Welt. In: taz.de. 2. August 2022, abgerufen am 9. August 2022.
  4. Mark Mantel: Chipauftragsfertiger TSMC schafft Rekordquartal auch ohne Huawei. In: Heise Online. 14. Januar 2021, abgerufen am 31. Januar 2021.
  5. A 7,300 % Return for The Godfather Is Quite a Legacy. Bloomberg. Abgerufen am 24. November 2018.Vorlage:Cite web/temporär
  6. Corporate Executives. TSMC. Abgerufen am 20. Juni 2018.Vorlage:Cite web/temporär
  7. Taiwan Semiconductor Manufactur (TSM) Stock Price, News, Quote & History – Yahoo Finance. Abgerufen am 11. September 2020 (amerikanisches Englisch).
  8. Umrechnungskurse (per Oktober 2016)
  9. Fab Locations. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, abgerufen am 31. März 2019.
  10. NXP Semiconductors Raises Stake in SSMC to More Than 60 Percent. 15. November 2006, abgerufen am 10. April 2019 (englisch).
  11. TSMC to begin 28nm production in Q3 2010 (Memento vom 23. Januar 2010 im Internet Archive)
  12. Richard Goering: 2014 TSMC Technology Symposium: Full Speed Ahead for 16 nm FinFET Plus, 10 nm, and 7 nm. 28. April 2014, abgerufen am 22. September 2014.
  13. Jan-Frederik Timm: Apple A11: TSMC startet Serienfertigung des 10-nm-iPhone-SoC. In: ComputerBase. (computerbase.de [abgerufen am 9. Februar 2018]).
  14. Marc Sauter: 7 nm macht bei TSMC ein Fünftel des Umsatzes aus. 19. April 2019, abgerufen am 23. August 2019.
  15. Marc Sauter: TSMC startet 5-nm-Risk-Production. 5. April 2019, abgerufen am 23. August 2019.
  16. Volker Rißka: TSMCs 5-nm-Fertigung: Fab-Erweiterung für 30.000 zusätzliche Wafer im Monat. 24. August 2020, abgerufen am 18. Oktober 2020.
  17. Lisa Wang: TSMC to set up Arizona subsidiary. 11. November 2020, abgerufen am 20. November 2020.
  18. Reuters: TSMC says has begun construction at its Arizona chip factory site. 2. Juni 2021, abgerufen am 2. Juni 2021.
  19. Anton Shilov: TSMC: 3nm EUV Development Progress Going Well, Early Customers Engaged. 23. Juli 2019, abgerufen am 23. August 2019.
  20. Volker Rißka: Kapazitätsausbau: Überblick zu TSMCs neuen Fabs und Ausbaustufen. 3. Juni 2021, abgerufen am 25. Juni 2021.
  21. Sarah Wu: TSMC planning advanced chip production in Arizona, says company's founder. 21. November 2022, abgerufen am 21. November 2022.
  22. Lisa Wang: TSMC developing 2nm tech at new R&D center. 26. August 2020, abgerufen am 18. Oktober 2020.
  23. Mehr als nur Profit. Nachhaltige Schwellenländerfonds. In: Finanztest. Nr. 11, November 2020, S. 45–49.
  24. Kate Sullivan-Walker: The semiconductor industry is where politics gets real for Taiwan. In: The Interpreter. Lowy Institute, 9. Juli 2020, abgerufen am 17. Dezember 2020 (englisch).
  25. John Lee, Jan-Peter Kleinhans: Taiwan, Chips, and Geopolitics. Part 1. In: The Diplomat. 10. Dezember 2020, abgerufen am 17. Dezember 2020 (amerikanisches Englisch).
  26. John Lee, Jan-Peter Kleinhans: Would China Invade Taiwan for TSMC? In: The Diplomat. 15. Dezember 2020, abgerufen am 17. Dezember 2020 (amerikanisches Englisch).