Borsubarsenid

chemische Verbindung

Borsubarsenid ist eine chemische Verbindung des Bors aus der Gruppe der Arsenide. In der Literatur wird häufig der mehrdeutige Name Borarsenid verwendet.

Kristallstruktur
Kristallstruktur von B12As2
_ B3+ 0 _ As3−
Kristallsystem

kubisch

Gitterparameter

0,4777 nm

Allgemeines
Name Borsubarsenid
Andere Namen
  • Dodecabordiarsenid
  • Borarsenid (mehrdeutig)
Verhältnisformel B12As2
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12005-70-8
Wikidata Q15718766
Eigenschaften
Molare Masse 279,58 g·mol−1
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung
keine Einstufung verfügbar[1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Gewinnung und Darstellung Bearbeiten

Borsubarsenid kann durch pyrolytische Zersetzung von Diboran und Arsenwasserstoff oberhalb von 920 °C gewonnen werden.[2]

Eigenschaften Bearbeiten

Borsubarsenid besteht aus Bor-Ikosaedern mit dazwischenliegenden As2-Gruppen, weist einen Bandabstand von 3,47 eV auf und wird ausgehend von einem Substrat auf Siliciumcarbid gezüchtet.[3]

Bei Raumtemperatur weist Borsubarsenid eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit λ von über 2 kW/(m·K) auf, was ungefähr der Wärmeleitfähigkeit von Diamant entspricht.[4]

Einzelnachweise Bearbeiten

  1. Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
  2. J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.
  3. University of Bristol, Applied Spectroscopy Group: Semiconductor Research. Archiviert vom Original am 1. Februar 2014; abgerufen am 19. Oktober 2022 (englisch).
  4. L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.