Borarsenid
chemische Verbindung
Borarsenid ist ein III-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus den beiden Elementen Bor und Arsen. Es sind zwei unterschiedliche chemische Verbindungen unter diesem Namen bekannt, die die Summenformel BAs und B12As2 (Borsubarsenid) besitzen.
| Kristallstruktur | |||||||
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| _ B3+ _ As3− | |||||||
| Allgemeines | |||||||
| Name | Borarsenid (mehrdeutig) | ||||||
| Andere Namen |
Bormonoarsenid | ||||||
| Verhältnisformel | BAs | ||||||
| Kurzbeschreibung |
brauner Feststoff[1] | ||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||
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| Eigenschaften | |||||||
| Molare Masse | 85,733 g·mol−1 | ||||||
| Aggregatzustand |
fest | ||||||
| Dichte |
5,22 g·cm−3[1] | ||||||
| Schmelzpunkt |
1100 °C (Zersetzung)[1] | ||||||
| Sicherheitshinweise | |||||||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | |||||||
Gewinnung und Darstellung Bearbeiten
Borarsenid kann durch Reaktion von Bor mit Arsen bei 1200 °C unter hohem Druck gewonnen werden.[3]
Eigenschaften Bearbeiten
Borarsenid ist ein Halbleiter mit einer Zinkblende-Struktur[4] und einem Bandabstand von 1,5 eV.[5]
Einzelnachweise Bearbeiten
- ↑ a b c Dale L. Perry: Handbook of Inorganic Compounds, Second Edition. Taylor & Francis US, 2011, ISBN 1-4398-1462-7, S. 73 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
- ↑ Jiro Osugi, Kiyoshi Shimizu, Yoshiyuki Tanaka, Kosaku Kadono: Preparation and chemical properties of cubic boron arsenide, BAs. In: The Review of Physical Chemistry of Japan, Vol. 36, No. 1, 1966.
- ↑ A. F. Holleman, E. Wiberg, N. Wiberg: Lehrbuch der Anorganischen Chemie. 101. Auflage. Walter de Gruyter, Berlin 1995, ISBN 3-11-012641-9, S. 1053.
- ↑ G. L. W. Hart, A. Zunger: Electronic Structure of BAs and Boride III-V Alloys. In: Physical Review B. 62. Jahrgang, Nr. 20, 2000, S. 13522–13537, doi:10.1103/PhysRevB.62.13522, arxiv:cond-mat/0009063.