Diskussion:Latch-up-Effekt

Artikel unverständlich

Die kritische geometrische Struktur besteht aus einem lateralen npn- und einem parasitärem vertikalen pnp-Transistor. Die Source-Drain-Gebiete der p-Kanaltransitoren sind der Emitter und die N-Wanne die Basis des so entstandenen pnp-Transistors, während das p-leitende Substrat den Kollektor darstellt. Emitter, Basis und Kollektor des npn-Transistors bilden entsprechend die Source-Drain-Gebiete der n-Kanal-Transistoren, das p-Substrat und die n-Wanne.

In diesem Stil geht das noch lange weiter. Einmal auf deutsch bitte für Normalsterbliche. --192.94.94.105 10:37, 6. Sep. 2007 (CEST)

Ja, es fehlen/ten zumindest diverse wikilinks auf die diversen Artikel wie Bipolartransistor und Umfeld, wo viele der verwendeten Begriffe bereits erklärt sind. Meiner Meinung macht es hier, bei der Erklärung eines speziellen Effektes, keinen Sinn die Grundlagen von Transistoren und integrierten Schaltungen zu erklären. Tlw. erfolgte in den letzten Tagen durch verschiedene Autoren und den LA ausgelöst bereits eine gewisse Verbesserung im Artikel.--wdwd 18:33, 18. Sep. 2007 (CEST)

Artikel ist gut

und verständlich. vll. kann man noch parasitärer Transistor etwas erklären sowie, dass es latchup auch in Leistungshalbleitern gibt. Raus aus der QS!--Ulfbastel 20:25, 27. Sep. 2007 (CEST)

Ja, Zustimmung. -QS und auch gleich durchgeführt.--wdwd 20:41, 27. Sep. 2007 (CEST)

neuerer JEDEC-Standard

der JEDEC-Standard ist JESD78B, nachzulesen auf http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd-78b

wielleicht verlinkt jeand direkt zu der jedec-seite? 217.10.60.85 08:53, 12. Feb. 2010 (CET)

Bild inkonsistent?

Vielleicht verstehe ich das falsch, aber das Bild zeigt doch, wie auch beschriftet, MOSFETs. Die überlagerte Skizze zeigt aber Bipolar-transistoren! Meiner Meinung nach falsch oder zumindest sehr irritierend. -- 87.181.182.131 20:40, 9. Sep. 2010 (CEST)

Das Bild zeigt wie die reale Struktur eines CMOS-Inverters in Planartechnik ebenfalls einen parasitären Thyristor (Ersatzschaltung aus Bipolartransistoren) bildet. Das ist nicht falsch sondern der wesentliche Grund für den Latch-Up-Effekt. --Cepheiden 21:06, 9. Sep. 2010 (CEST)