Majoritätsladungsträger

Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen.

Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind (Störstellenerschöpfung). Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der Eigenleitungsdichte ( bzw. ) des Halbleiters zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration der (der Defektelektronen) bzw. (der Elektronen) im

  • p-Gebiet:[1]
  • n-Gebiet:[1]

mit der Eigenleitungsdichte , den Konzentrationen der ionisierten Donator- und Akzeptoratome sowie der Konzentration aller (geladenen und neutralen) Donatoren und Akzeptoren .

LiteraturBearbeiten

  • Albrecht Möschwitzer, Klaus Lunze: Halbleiterelektronik. Lehrbuch. 2., bearb. Auflage. Verl. Technik, Berlin 1975, DNB 200142224.

EinzelnachweiseBearbeiten

  1. a b Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, Berlin/Heidelberg/New York 2005, ISBN 3-540-22316-9, S. 68 ff.