Kollektor-Emitter-Spannung

Die Kollektor-Emitter-Spannung oder U_CE gibt an, wie hoch der Spannungsfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist.

Kollektor-Emitter-Spannung ist mit U_CE bezeichnet

Solange der Transistor vollständig gesperrt ist, d. h., wenn keine Basis-Emitter-Spannung anliegt, also U_BE = 0 V ist, fällt die volle Betriebsspannung des Transistors an der Kollektor-Emitter-Strecke ab.

Ist ein Transistor dagegen voll durchgesteuert (bei einem Silizium-Transistor üblicherweise bei U_BE = 0,7 V), fällt noch immer ein kleiner Teil der Betriebsspannung an der Kollektor-Emitter-Strecke ab. Im voll durchgesteuerten Zustand spricht man dann von der Sättigungsspannung eines Transistors, was auch als U_{CE sat} bezeichnet wird. Ein für einen Silizium-Transistor üblicher Wert ist U_{CE sat} = 0,2 V, bei Darlington-Transistoren um 0,9 bis 2,5 V.

Die Kollektor-Emitter-Schicht verhält sich wie eine Hochvolt-Zenerdiode. Der Kennwert für U_{CE max} wird im Datenblatt eines Transistors vermerkt. Oberhalb U_{CE max} schlägt der Transistor durch. Wird der Strom nicht begrenzt, zerstört er den Transistor.

Siehe auch

• Kollektor-Emitter-Strom
• Basis-Emitter-Spannung

Literatur

• Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm: Halbleiter-Schaltungstechnik. 13., neu bearb. Auflage. Springer, Berlin 2009, ISBN 3-642-01621-9.