Die äquivalente Oxid-Dicke (engl. equivalent oxide thickness, kurz EOT) ist eine Kenngröße zum Vergleich verschiedener Dielektrika bei MOS-Transistoren (MOSFETs).

Die elektrischen Eigenschaften eines MOSFETs sind hauptsächlich bestimmt durch die Kapazität pro Flächeneinheit:

Verwendet man nun ein anderes Gate-Oxid-Material, sollen sich die elektrischen Eigenschaften zunächst nicht verschlechtern. Die EOT gibt an, welche Oxid-Dicke ein MOSFET mit Siliziumdioxid als Dielektrikum hätte, wenn er die gleiche Kapazität pro Flächeneinheit aufweist wie ein MOSFET mit einem anderen Dielektrikum. Mit der Einführung des 45-nm-Prozesses werden Hafnium-basierte Dielektrika verwendet, sogenannte high-k-Dielektrika.

Berechnung der EOT: