Bei gepufferter Flusssäure handelt es sich um eine wässrige Lösung, die sowohl Flusssäure als auch Ammoniumfluorid enthält. Die typischen Konzentration entsprechen dabei einer 30-40% NH4F Lösung in 6-7% HF. Sie wird hauptsächlich in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik verwendet, um Silicium-Wafer zu reinigen und um Siliciumdioxid zu ätzen.[1]
Verwendungszwecke
BearbeitenGepufferte Flusssäure wird hauptsächlich dazu verwendet, um Siliciumoxid von Silicium-Wafern zu entfernen. Sie hat gegenüber wässrigen Lösungen, die nur Flusssäure enthalten, den Vorteil, dass die Ätzrate von Siliciumoxid relativ konstant ist. Dies ist erforderlich, wenn man vollflächig auf den Wafer aufgebrachtes Siliciumoxid strukturieren möchte oder wenn man das vergrabene Oxid von SOI-Wafern selektiv entfernen möchte. Ausserdem wird Fotolack bei der Fotolithografie von der Lösung weniger angegriffen[2]
Daneben findet es auch als selektives Ätzmittel zur Strukturierung anderer Metallschichten Verwendung z.b. SrTiO3, LSMO [3] [4]
Einzelnachweise
Bearbeiten- ↑ Munir Ahmad: Buffered HF Oxide Etch. Abgerufen am 10. Juli 2017 (englisch).
- ↑ Microchemicals: BOE and BOE with Surfactant
- ↑ SrTiO3 etching
- ↑ Variable resistor made by repeated steps of epitaxial deposition and lithographic structuring of oxide layers by using wet chemical etchants