Benutzer:Cepheiden/Bearbeitung 1

Diese Artikel sind im Entstehen und noch nicht Bestandteil der freien Enzyklopädie Wikipedia.

Solltest du über eine Suchmaschine darauf gestoßen sein, bedenke, dass der Text noch unvollständig sein und Fehler oder ungeprüfte Aussagen enthalten kann. Wenn du Fragen zum Thema hast, nimm Kontakt mit dem Autor Cepheiden auf.

Eine Mitarbeit an den entstehenden Artikeln ist ausdrücklich erwünscht.

meckesche Symbole

Zur Recherche

• R. Mecke: Experimentelle Ergebnisse und Ziele der Bandenforschung. In: Zeitschrift für Elektrochemie und angewandte physikalische Chemie. Band 36, Nr. 9, 1930, S. 589–596. doi:10.1002/bbpc.19300360905 (zurzeit nicht erreichbar)

• R. Mecke: Experimentelle Ergebnisse zur Bandenspektroskopie mehratomiger Moleküle. In: Peter Josef William Debye (Hrsg.): Molekülstruktur. Verlag von S. Hirzel, Leipzig 1931, S. 23–49. 

• R. Mecke, E. Funck: Tautomerie und Infrarot-Absorptionsspektrum des Acetylacetons. In: Zeitschrift für Elektrochemie, Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie. Band 60, Nr. 9–10, 1956, S. 1124–1130. doi:10.1002/bbpc.19560600934 (zurzeit nicht erreichbar)

Lift-off-Verfahren

Hatzakis et al. scheint nicht die Erstveröffentlichung zu sein. Das Konzept der Strukturübertragung durch das Lift-off-Verfahren wurde bereits vor 1980 gezeigt.

• M. Hatzakis, B. J. Canavello, J. M. Shaw: Single-step optical lift-off process. In: IBM J. Res. Dev. Band 24, Nr. 4, 1980, S. 452–460, doi:10.1147/rd.244.0452.  → M. Hatzakis: Electron Resists for Microcircuit and Mask Production. In: Journal of The Electrochemical Society. Band 116, Nr. 7, 7. Januar 1969, S. 1033–1037, doi:10.1149/1.2412145. 
• R. M. Halverson, M. W. MacIntyre, W. T. Motsiff: The Mechanism of Single-Step Liftoff with Chlorobenzene in a Diazo-Type Resist. In: IBM Journal of Research and Development. Band 26, Nr. 5, September 1982, S. 590–595, doi:10.1147/rd.265.0590. 
• Jinxing Liang, Fusao Kohsaka, Takahiro Matsuo, Xuefeng Li, Toshitsugu Ueda: Improved bi-layer lift-off process for MEMS applications. In: Microelectronic Engineering. Band 85, Nr. 5–6, Mai 2008, S. 1000–1003, doi:10.1016/j.mee.2008.01.104. 

• Patent EP0164675: Lift-off process. Veröffentlicht am 18. Dezember 1985.‌
• Patent US2559389: Method of Producing Precision Images. Angemeldet am 2. April 1942, veröffentlicht am 3. Juli 1951, Erfinder: Allan R. A. Beeber, David D. Jacobus, Carl W. Keuffel.‌
• basic "lift-off"_
  • Patent US3849136: Masking of Deposited Thin Films by Use of a Masking Layer-photoresist Composite. Veröffentlicht am 19. November 1974, Erfinder: K. Grebe.‌
  • Patent US3985597: Process For Forming Passivated Metal Interconnection System With A Planar Surface. Veröffentlicht am 12. Oktober 1976, Erfinder: Laura B. Zielinski.‌

High-k+Metal-Gate-Technik

Zu klären:

• T. Conard, H. Bender, W. Vandervorst: Physical Characterization of Ultra-thin High-k Dielectric. In: Mikhail Baklanov, Martin Green, Karen Maex (Hrsg.): Dielectric films for advanced microelectronics. John Wiley and Sons, 2007, ISBN 978-0-470-01360-1, S. 337–367. 
• Leonard J. Brillson: Surfaces and Interfaces of Electronic Materials. Wiley-IEEE, 2010, ISBN 978-3-527-40915-0.