Velocity overshoot
Excess electron velocity after electric field has been switched on
Velocity overshoot (auf Deutsch ungefähr ‚Geschwindigkeitsüberschreitung‘) ist ein Phänomen in der Halbleiterphysik, das auftritt wenn Ladungsträger in einem Halbleiter einem äußeren elektrischen Feld ausgesetzt werden. Dann werden die Ladungsträger mit dem Einsetzen des elektrischen Felds sehr stark beschleunigt, bis Streuprozesse sie einerseits verlangsamen und andererseits ihre Geschwindigkeitsverteilung verbreitern.[1] Dadurch erreichen die Elektronen kurzzeitig eine höhere Geschwindigkeit als im Gleichgewichtszustand.
Literatur
Bearbeiten- Peter Graf: Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si / SiGe-Heterobipolartransistoren. Herbert Utz Verlag 1999, ISBN 978-3896755742, S. 79 ff.
Einzelnachweise
Bearbeiten- ↑ Andreas Schenk: Halbleiterbauelemente. physikalische Grundlagen und Simulation. Hrsg.: ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory. 2001, doi:10.3929/ethz-a-004303105 (Lehrmaterial).