Maria Hämmerli
Maria Alexandrova Hämmerli (* 18. Juli 1986 in Moskau) ist eine schweizerisch-russische Ingenieurin und Forscherin im Bereich Elektrotechnik mit Spezialgebiet Lichtquanten.
Leben Bearbeiten
Maria Hämmerli schloss ihr Masterstudium 2010 am Moskauer Institut für Physik und Technologie (MFTI) mit einer Forschungsarbeit zur Quantenelektronik ab. Anschliessend arbeitete sie als Research Assistent und PhD-Student an der ETH Zürich. 2015 promovierte sie zum Doctor of Philosophy (PhD), Electrical and Electronics Engineering. Ihre Dissertation zum Thema «Development and Optimization of High-Speed InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors»,[1] erbrachte einen Durchbruch bei der Transistor-Miniaturisierung.
Wirken Bearbeiten
Nach ihrer Tätigkeit als Forschungs- und Entwicklungsingenieur bei ABB Schweiz wirkt sie heute als Forscherin und Abteilungsleiterin bei Albis Optoelectronics in Rüschlikon, Schweiz. Ihr Forschungsprojekt «Four-quadrant inGaAs avalanche photodiodes for LEO dirct-to-Earth optical ground station» wurde 2023 von der Europäischen Weltraumorganisation (ESA) zur Realisierung angenommen.
Maria Hämmerli ist verheiratet und hat zwei Töchter.
Einzelnachweise Bearbeiten
- ↑ Development and Optimization of High-Speed InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors, Dissertation an der ETH Zürich, 2015 (PDF)
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Hämmerli, Maria |
| ALTERNATIVNAMEN | Hämmerli, Maria Alexandrova (vollständiger Name) |
| KURZBESCHREIBUNG | schweizerisch-russische Ingenieurin |
| GEBURTSDATUM | 18. Juli 1986 |
| GEBURTSORT | Moskau |