Diskussion:Mehrfachstrukturierung

Letzter Kommentar: vor 5 Jahren von Duschgeldrache2 in Abschnitt Grabenverdopplungsansatz

Bitte überarbeiten! Bearbeiten

Der google- Übersetzer eignet sich nicht direkt, um Texte für Wikipedia zu erstellen. Ich würde ja beginnen, den Artikel auszudeutschen, aber manche Sätze sind so verworren, dass sich die Bedeutung nicht mehr erschließt. Bitte dringend überarbeiten!

Beispiel: "Die Anzahl der Belichtungsschritte vermag nicht die Verbesserung der minimalen Auflösungsgrenze zu verbessern, solange die Reaktion des Fotolack ist keine einfache Aufsummierung zweier Belichtungen (siehe Abbildung)." Wie gesagt- ich hätte es selber ausgebessert, wenn ich wüsste, was das heißt...

--Dieter Sulzbacher (Diskussion) 10:13, 26. Apr. 2013 (CEST)Beantworten

ja, der ein oder andere Abschnitt bedarf sprachlicher Überarbeitung, da hab ich wohl deutlich geschlampt. Ich werde die Tage mal drüberschauen, einige Infos aus dem englischen Artikel sind auch nicht belegt oder (meiner Meinung nach) falsch. --Cepheiden (Diskussion) 16:46, 26. Apr. 2013 (CEST)Beantworten
Die Sprache ist immer noch auffällig. Singular und Plural gehen durcheinander, Verben fehlen, ... --Moritzgedig (Diskussion) 17:57, 24. Aug. 2014 (CEST)Beantworten
Ich schau nochmal drüber. Wenn dir etwas auffällt, würde ich mich sehr freuen, wenn selbst bereits nachkorrigierst. --Cepheiden (Diskussion) 14:44, 29. Aug. 2014 (CEST)Beantworten

"Typisch ist hier der Einsatz zur Herstellung von Transistor-Gates mit sehr rechtwinkligen Strukturenden, die mit einem normalen Fotolithographieprozesse bei diesen Strukturgrößen aufgrund ? nicht mehr realisiert werden können. Dabei wird im ersten Schritt ein Streifenmuster hergestellt, deren Einzellinien später die Gate-Strukturen repräsentieren, und in einer Hartmaske fixiert. Im zweiten Lithografieschritt werden die noch verbundenen Einzelgates getrennt, indem eine fotolithografische Maske mit einem um 90° gedrehtes Streifenmuster aufgebracht wird" --Moritzgedig (Diskussion) 23:46, 1. Okt. 2014 (CEST)Beantworten

Hallo, wie gesagt, wenn du mit hilfst, in dem du Rechtschreibung und Grammatik gleich selbst korrigierst, kommen wir schneller zum Ziel. --Cepheiden (Diskussion) 22:42, 2. Okt. 2014 (CEST)Beantworten

Das grundsätzliche Fehlt Bearbeiten

Offenbar basiert das Ganze darauf, dass man zwar 001000100010 oder 101110111011 abbilden kann, aber nicht 01010101. Und man kann schmale Linien abbilden aber keine kleinen punkte. --Moritzgedig (Diskussion) 18:13, 24. Aug. 2014 (CEST)Beantworten

Kannst du das bitte näher erläutern, ich versteh nicht so recht worauf du hinaus willst. Prinzipiell eigenen sich einige Varianten auch dafür quadratische oder kreisförmige Strukturen (das meist du wahrscheinlich mit "punkten"), mit kleineren Abmaßen, abzubilden. Dazu werden aber auch Masken mit Streifenmustern genutzt, die jedoch um 90° gedreht werden. Ähnliches wird seit Jahren für die Strukturierung der Gateselektroden eingesetzt, hier wird jedoch der zweite Schritt nicht dafür eingesetzt um eine höhere Strukturdichte zu erzeugen sondern um die zunächst linienförmigen Gates zurecht zuschneiden bzw. zu unterteilen. --Cepheiden (Diskussion) 14:44, 29. Aug. 2014 (CEST)Beantworten
Ich vermute man kann hohe Frequenzen in die Struktur bringen aber nicht in beide Richtungen gleichzeitig. Weiterhin kann man in einer Richtung hohe Frequenzen belichten aber nur in Form von Oberwellen. Es geht also process(00110011 + 01010101 = 01120112) = 00010001, aber nicht process(02020202) = 01010101. Für 01010101 braucht man daher process(01120112) + process(12011201) = 01010101 --Moritzgedig (Diskussion) 23:40, 1. Okt. 2014 (CEST)Beantworten
p.s. So wie von mir beschrieben ist es nicht wirklich\physikalisch, worauf ich hinaus will, ist dass man mit einer Belichtung, durch die Ausnutzung eines Schwellwertverhaltens, nur regelmäßige Muster mit ungleichen Resist-weg-zu-vorhanden-breiten erzeugen kann. Daher kommt das mehrfache strukturieren. 012101210121'Licht -> 001000100010'Struktur --Moritzgedig (Diskussion) 04:09, 2. Okt. 2014 (CEST)Beantworten
Hallo, bitte bei einer Form der Mehrfach- bzw. Doppelstrukturierung bleiben. Man kann nicht eine Mehrfachstrukturierung einer Linienstruktur zur Erhöhung der Liniendichte mit einer Mehrfachstrukturierung mit gedrehter Hauptrichtung vergleichen. Auch sollte man klären über welche Technik man überhaupt spricht. Doppelte Litho verhält sich anders als eine LELE- oder gar die Spacertechnik. --Cepheiden (Diskussion) 22:23, 2. Okt. 2014 (CEST) P.S. Was sollen die 0, 1, 2 darstellen, Transmissionsfunktion der Maske, vereinfachte Form der Intensitäten des Luftbildes, geöffnete und geschlossene Reisistbereiche? Mir ist leider nochnicht ganz klar, wie wir zu einer einheitlichen Sprache findenBeantworten

"nicht eine Mehrfachstrukturierung einer Linienstruktur zur Erhöhung der Liniendichte mit einer Mehrfachstrukturierung mit gedrehter Hauptrichtung vergleichen"
Tue ich auch nicht. Ich schrieb meist über "Erhöhung der Liniendichte".
Zu beantworten ist doch die Frage: Warum kann Mehrfachstrukturierung feinere Strukturen erzeugen? \ Warum ist etwas mit mehreren Schritten, aber nicht in einem möglich ?!
Antwort: ... "nur regelmäßige Muster mit ungleichen Breiten erzeugen kann"
Gleiche Breitenverhältnisse: 01100110
UNgleiche Verhältnisse: 01000100
Aber die Selbe Periode in Metern
--Moritzgedig (Diskussion) 16:07, 3. Okt. 2014 (CEST)Beantworten

Nein, die Frage ist zunächst über welche Art von Struktur und welche Methode reden wir.
Wie du schreibst geht es dir um die Erhöhung der Liniendichte, dies geht zum einen mit der Litho zum anderen mit der Spacermethode.
  • Bei der Spacer-Methode wird zunächst per Lithografie eine Linienstruktur erzeugt, bei der die Linienbreite 1/4 der des Pitches beträgt --> 00100010001000100. Dann wird der Spacer abgeschieden etc. man erhält 010101010101010
  • Bei DEDE (hier gibt es zwei Haupttechniken, siehe Artikel) ist es ähnlich hier wird zunächst eine Linienstruktur mit der Linienbreite 1/4 der des Pitches erzeugt und in eine Hartmaske fixiert --> 00100010001000100. Anschließend wird diese Struktur um einen 1/2 Pitch verschoben (10001000100010001) nochmals gefertigt. Nach der Ätzung ergibt sich 10101010101010101.
  • Dann gibt es noch reine Lithomethoden bei der gleich 10101010101010101 entstehen in dem man spezielle Resiste nimmt.
Bei diesen Doppelstrukturierungtechniken hat man am Ende Strukturen mit dem halben Pitch der Fertigung mit der "normalen" Lithografie. Sind der Artikel und die Bilder wirklich so unverständlich?
Der eigentliche Witz ja auch, dass man ja eigentlich 2D-Strukturen braucht. Diese Pitch-Halbierung ist daher in vielen Fällen nur ein erster Schritt. Zumindest bis incl. 28-nm-Knoten ist diese Form zudem nicht notwendig, da mit Immersionslithografie und Off-Axis-Belichtungen unterschiedlicher Beleuchtungsquellenverteilungen die notwendigen Strukturdichten machbar sind. Eine Art Doppelstrukturierung ist aber dennoch notwendig, diesmal aber um die dichten Linienstrukturen so zu modifizieren, dass die gewünschten 2D-Strukturen entstehen. --Cepheiden (Diskussion) 17:02, 3. Okt. 2014 (CEST) P.S. den Halbsatz "nur regelmäßige Muster mit ungleichen Breiten erzeugen kann" ist keine verständliche Antwort auf deine Frage " Warum kann Mehrfachstrukturierung feinere Strukturen erzeugen?"Beantworten
"Sind der Artikel und die Bilder wirklich so unverständlich?"
Nein, sind sie nicht. Auch die Spacertechnik basiert auf "zunächst per Lithografie ... 00100010". Diese wesentliche Gemeinsamkeit und Grundlage wird aber nicht explizit genannt. Man muss erst alle Bilder studieren um diese Gemeinsamkeit zu erkennen. Diese Einsicht würde einem aber von Anfang an helfen den Artikel zu erschließen. --Moritzgedig (Diskussion) 08:39, 6. Okt. 2014 (CEST)Beantworten
Wenn du als Gemeinsamkeit für dichte Linienstrukturen die Fotolithografie mit höherem Pitch und asymetischem Linien-Graben-Verhältnis meinst, hast du weitgehend Recht. Auch wenn man sich bei den Zweiton-Verfahren streiten könnte. --Cepheiden (Diskussion) 20:53, 6. Okt. 2014 (CEST)Beantworten

Grabenverdopplungsansatz Bearbeiten

Eine IP hatte im Artikeltext einen sichtbaren Kommentar eingefügt, der wohl eher hierhin in die Diskussion gehört. Ich habe das mal entsprechend umgelagert. Nur der Ordnung halber und falls es jemand interessiert.

„Warum steht im Text: "...Nebenstehende Bild zeigt einen DEDE-Ansatz ohne Hartmaske..." und in der Bildunterschrift steht "... Grabenverdoppelungsansatz mit Hartmsake". Das erscheint mir nicht konsistent!“

--Duschgeldrache2 (Diskussion) 19:43, 22. Mär. 2019 (CET)Beantworten