Diskussion:Galliumnitrid

Zeitangabe Bearbeiten

Letzter Kommentar: vor 14 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

"derzeitige Technologien", "heutzutage" ... wann war das konkret? Welche Jahreszahl etwa? Man muss bei so langlebigen Artikeln zeitliche Angaben mit absoluten "Zeitmarken" versehen, so dass ein späterer Leser eine Information über die Aktualität der Aussage hat. Fehlende absolute Zeitangaben - ein Manko in Texten vieler Autoren.

//al (nicht signierter Beitrag von 87.152.182.166 (Diskussion | Beiträge) 11:52, 24. Aug. 2009 (CEST)) Beantworten

GaN(Sb) als Wasserspaltungs-Katalysator Bearbeiten

Letzter Kommentar: vor 12 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

Siehe [1], Artikel demnach frisch in Phys. Rev. --Ayacop 20:05, 31. Aug. 2011 (CEST)Beantworten

Widersprüchliche Bandlücken-Angaben Bearbeiten

Letzter Kommentar: vor 10 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt

für beide Kristallstrukturen gibt es leicht variierende Angaben, aber alle im Bereich 3,2 bis 3,5 eV. -- Amtiss, SNAFU ? 00:19, 21. Mai 2013 (CEST)Beantworten

Eigentlich benutzen alle 3,42 eV als Bandlückenenergie, zumindest für die wurtzite Kristallstruktur. Schlage vor, das zu ändern.--134.102.25.197 17:46, 4. Dez. 2013 (CET)Beantworten

GaN-FET Bearbeiten

Letzter Kommentar: vor 8 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

...gibt es nicht nur in Schaltnetzteilen, sondern auch in der HF-Technik (z.B. [2]). --Deckblatt (Diskussion) 14:02, 5. Sep. 2015 (CEST)Beantworten

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