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Beschreibung
English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode
Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
Datum (UTC)
Quelle
Urheber
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aktuell07:31, 19. Dez. 2018Vorschaubild der Version vom 07:31, 19. Dez. 2018480 × 370 (19 KB)Hamad SpiderCorrected the overlap of the "r" and ")" characters in "(spacer)"
19:11, 19. Jan. 2016Vorschaubild der Version vom 19:11, 19. Jan. 2016480 × 370 (17 KB)Heronspelling correction: two dimentional --> two-dimensional
01:44, 27. Aug. 2009Vorschaubild der Version vom 01:44, 27. Aug. 2009480 × 370 (42 KB)Sfucorrect
01:37, 27. Aug. 2009Vorschaubild der Version vom 01:37, 27. Aug. 2009480 × 370 (42 KB)Sfu{{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"

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