BeschreibungDRAM-Zelle (trench).svg	Deutsch: Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in Planar-Technologie. Der Kondensator ist als "Grabenkondensator mit Poly-Si-Platte" (engl. poly plate trench capacitor). Eine andere Variante wäre der "Grabenkondensator mit vergrabener Platte" (engl. buried plate trench capacitor) English: Cross-section of a DRAM cell in 3D stack technology. The capacitor here is a polysilicon plate trench capacitor
Datum	23. Februar 2008
Quelle	Eigenes Werk (Originaltext: selbstgezeichnet)
Urheber	Cepheiden
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Ursprüngliches Datei-Logbuch

• 2008-02-23 15:45 Cepheiden 301×213× (11200 bytes) {{Information |Beschreibung = Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in 3D-Stack-Technologie. Bei dem Kondensator handelt es um einen ''sehr einfachen'' Stapelkondensator (engl. ''stacked capacitor''). |Quelle = selbstgezeichnet |Urheber = [[BenutzerCephei