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Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN AlxGa1-xN) ist eine Legierung aus Aluminiumnitrid (AlN) und Galliumnitrid (GaN) und zählt zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter.

Die Legierung dient als Werkstoff zur Herstellung von Leuchtdioden (LED) vom sichtbaren grünen Farbbereich bis zum UV-C-Bereich mit Wellenlängen knapp unter 250 nm. Die konkrete Wellenlänge wird im Rahmen der Herstellung durch Variation des Mischungsverhältnisses von Aluminiumnitrid zu Galliumnitrid eingestellt.[1] Im Jahr 2016 zeigten Nakamura et. al. eine grün emittierende LED-Entwicklung auf Basis von Al0.30Ga0.70N, die eine maximale Lichtausbeute von 239 lm/W bei ca. 525 nm hatte.[2]

Weitere Anwendung des III-V-Verbindungshalbleiters liegen als Werkstoff bei High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) als Detektor für ultraviolette Strahlung. Zur Bildung von Heteroübergängen in der Halbleitertechnik wird die Legierung Aluminiumgalliumnitrid gemeinsam mit den beiden Ausgangshalbleitern Aluminiumnitrid und Galliumnitrid eingesetzt.

LiteraturBearbeiten

  • Stephen J. Pearton, Cammy R. Abernathy, Fan Ren: Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics. Springer, London 2010, ISBN 978-1-84996-965-9.

EinzelnachweiseBearbeiten

  1. K. Sairam: Optical Communications. Laxmi Publications, 2008, ISBN 978-81-318-0242-7, S. 68–69.
  2. OSA Publishing: "High luminous efficacy green light-emitting diodes with AlGaN cap layer"