Vanguard International Semiconductor

Halbleiterhersteller aus Taiwan

Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS) ist eine auf die Herstellung von integrierten Schaltungen spezialisierte Foundry, das heißt ein Auftragsfertiger für Halbleiterprodukte.

Vanguard International Semiconductor Corporation
Rechtsform Public Limited Company
ISIN TW0005347009
Gründung 5. Dezember 1994
Sitz Hsinchu, Taiwan
Leitung Ching-Chu Chang
Mitarbeiterzahl 3.501 (31. Dezember 2011)[1]
Umsatz 15,2 Mrd. NTD (386 Mio. Euro; 2011)[1]
Branche Halbleiterindustrie
Website www.vis.com.tw
EDO-RAM von Vanguard

Das taiwanische Unternehmen mit dem Hauptsitz im Hsinchu-Wissenschaftspark, Hsinchu, Taiwan, wurde im Dezember 1994 als Ausgliederung eines Sub-Mikrometer-Projekts des Forschungsinstituts für Industrietechnologie (ITRI) gegründet. Zu den damaligen Geldgebern gehörten unter anderem Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation (TSMC), Ministry of Economic Affairs (MOEA) und USI Corporation sowie elf weitere institutionelle Investoren.[1] Seit dem März 1998 wird VIS Over-The-Counter (OTC) am GreTai Securities Market gehandelt. Im Jahr danach startete VIS als Unterauftragnehmer von TSMC die Herstellung von Logik- und Mixed-Signal-Produkten.

Ziel der Ausgliederung im Jahr 1994 war die Entwicklung und Produktion von DRAM und anderen Halbleiterspeicherbauteilen. Diese Ausrichtung wurde aber spätestens im Jahr 2000 überdacht, als VIS offiziell verkündete sein Geschäftsmodell von einem reinen DRAM-Hersteller in eine Foundry umzustellen. Vier Jahre später wurde die DRAM-Produktion sogar komplett eingestellt und VIS wurde eine Pure-play-Foundry.

Aktuell (2012) besitzt VIS zwei Fabriken für 200-mm-Wafer, die zusammen eine monatliche Produktionsleistung von ungefähr 140.000 Wafern ermöglichen, und beschäftigt ungefähr 3.500 Mitarbeiter.

Weblinks Bearbeiten

Commons: Vanguard International Semiconductor – Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien

Einzelnachweise Bearbeiten

  1. a b c Vanguard International Semiconductor Corporation (Hrsg.): 2011 Annual Report. 29. Februar 2012 (PDF).

Koordinaten: 24° 46′ 29,2″ N, 120° 59′ 49″ O